Учебная работа № /2996. Курсовая Электроника, электротехника и схемотехника
Учебная работа № /2996. Курсовая Электроника, электротехника и схемотехника
Содержание:
«Содержание
Задание на курсовое проектирование ……………………………………………2
1. Введение 4
2. Формирователь сигналов 5
3. Автогенератор на логических элементах 5
4. Делитель частоты на счетчиках 10
5. Формирователь коротких пусковых импульсов 12
6. Ждущий генератор пусковых импульсов 15
7. Проверочный расчет параметров устройства 18
Литература
1. Угрюмов Е.П. Цифровая схемотехника. – СПб.: БХВ – Петербург, 2008.
2. Нефедов А.В. Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги. Том 5. М: ИП РадиоСофт, 1999.
3. Новиков Ю.Н. Электротехника и электроника. Спб: Юрайт, 2012.
4. Электроника. Учебное пособие. Савёлов Н.С., Лачин.В.И.-Ростов н/Д: изд-во «Феникс»,2010.
5.Аванесян Г.Р.,Левшин В.П. Интегральные микросхемы ТТЛ,ТТЛШ: Справочник. М.: Машиностроение,1993.
6. Аналоговая и цифровая электроника. Учебник для ВУЗов/ Ю.Ф. Опадчий, О.П. Глудкин, А.И.Гуров ; П од ред Глудкина. –М: Горячая линия –Телеком, 2000.
7.Электронные приборы, микроэлектроника и элементы электрон¬ной техники: Учебник.- М.: Воениздат, 1997.
8.Электронные устройства вооружения и военной техники Войск ПВО: Учебник / Под ред. Н.Е. Жорова. – Харьков: ВИРТА ПВО, 1990.
9. Бокуняев А.А. и др. Электропитание устройств связи / под ред. В.Е. Китаева, — М.: Радио и связь, 1988.
10. Галле К. – Как проектировать электронные схемы. Пер. с фр. ¬– М.: ДМК Пресс, 2009.–208с.: ил. ISBN 978-5-94074-528-0
11. Иванов-Цыганов А. И. — Электропреобразовательные устройства РЭС … Издательство: Высшая школа, 1991 г.
12. Москатов Е.А. – Справочник по полупроводниковым приборам. Издание 2. – Таганрог, 219 с., ил.
»
Выдержка из похожей работы
виде »единиц» и »нулей»,Цифровые переменные имеют только два уровня, (рис.
1,б),Эти уровни напряжения называют верхним и нижним, или обозначают терминами
»истина» и »ложь», которые связаны с булевой логикой, или »включено» и
»выключено», которые отражают состояние релейной системы, а чаще »нулем» и
»единицей».
Благодаря высокой эффективности цифровые методы широко используются
для передачи, отбора и запоминания информации, даже в тех случаях, когда
входные и выходные данные имеют непрерывную или анало- говую форму,В этом
случае информацию необходимо преобразовывать при помощи цифро-аналоговых (ЦАП)
и аналогово-цифровых преобразователей (АЦП),
а
б
верхний
предел
высокий уровень
нижний
предел низкий уровень
а –аналоговый сигнал; б
–цифровой сигнал;
1.
ЦИФРОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ
Интегральная микросхема – это
микроэлектронное изделие выпол-няющее определенную функцию преобразования и
обработки сигнала и имеющее не менее пяти элементов (транзисторов, диодов,
резисторов, кон- денсаторов), которые нераздельно связаны и электрически
соединены между собой так, что устройство рассматривается как единое целое.
Высокая надежность и качество в сочетании с
малыми размерами, массой и низкой стоимостью интегральных микросхем обеспечили
их широ- кое применение во многих отраслях народного хозяйства.
По конструктивно-технологическим признакам
различают пленочные, полупроводниковые и гибридные микросхемы.
Пленочные микросхемы изготавливают
посредством послойного нанесения на диэлектрическое основание (подложку) пленок
различных материалов с одновременным формированием транзисторов, диодов и т.п.
Пленочные микросхемы делятся на тонкопленочные (толщина пленки до 1мкм) и
толстопленочные.
Полупроводниковая интегральная
микросхема – это интегральная
микросхема, все элементы и межэлектродные соединения которой выполне- ны в объеме
и на поверхности проводника (рис,2 а,б).
При
изготовлении полупроводниковых интегральных микросхем обычно используют
планарную технологию,
Активные и пассивные элементы полупроводниковой интегральной
микросхемы избирательно формируют в одном монокристалле полупровод- ника.
Соединение элементов между собой в полупроводниковой интеграль- ной микросхеме
может быть выполнено как в объеме, так и на поверхности монокристалла
полупроводника путем создания на окисленной поверхности полупроводника
токоведущих дорожек, например, методом вакуумного на-пыления металла,В
качестве конденсаторов в микросхемах используют об-ратно смещенные p-n-переходы
или конденсаторные структуры Si-SiO2-металл,Роль резисторов выполняют участки
поверхности полупроводни-кового кристалла или p-n-переход,
смещенный в прямом или обратном нап-равлении, а также канал МДП-транзисторов.
В интегральной микросхеме не всегда можно указать границу
между отдельными элементами,Например, вывод конденсатора может одновре-менно
являться электродом конденсатора,Из-за малых межэлектродных расстояний и
наличия общего для всех элементов схемы кристалла (подлож-ки) в микросхемах
создаются достаточно сложные паразитные связи, а так же появляются паразитные
элементы, которые, как правило, ухудшают все парараметры микросхемы, как
функционального узла радиоэлектронной аппаратуры.
а
б
в
Рис,2
а – эквивалентная
схема; б – структура полупроводниковой интегральной микросхемы;
в – структура гибридной
интегральной микросхемы;
Гибридная интегральная микросхема – это интегральная
микросхема
пассивные элементы которой выполнены посредством нанесения
различных пленок на поверхность диэлектрической подложки из стекла, керамики
или ситалла, а активные элементы – навесные полупроводниковые приборы без
корпусов (рис,2,в).
Гибридные интегральные
микросхемы позволяют использовать пре- имущества пленочной технологии в
сочетании с полупроводниковой тех-нологией,
Полупроводниковая интегральная
микросхема может быть изготов- лена по совмещенной технологии – активные элементы
выполнены в объеме полупроводникового монокристалла, а пассивные элементы – на
защищен-ной (например, окислом) поверхности монокристалла в тонкопленочном
ис-полнении,На этой же поверхности сделаны и токопроводящие дорожки и площадки
