Учебная работа № /2694. Контрольная Электротехника и электроника, вариант 66
Учебная работа № /2694. Контрольная Электротехника и электроника, вариант 66
Содержание:
Задача №1
Расчет простых электрических цепей постоянного тока
Для электрической цепи, изображенной на рисунке 1, определить:
1. Токи в ветвях.
2. Мощность, развиваемую источниками энергии.
3. Составить уравнение баланса мощностей.
Значения ЭДС и сопротивлений приемников приведены в таблице 1.
Таблица 1
Вариант Е? В R0, Ом R1, Ом R2, Ом R3, Ом R4, Ом R5, Ом R6, Ом R7, Ом
6 50 0,5 2 2,6 4 6 9 6 1,4
Задача №2
Расчет сложных электрических цепей постоянного тока
Для цепи, изображенной на рисунке 2:
1. Составить уравнения для определения токов путем непосредственного применения законов Кирхгофа. Решать систему уравнений не следует.
2. Определить токи в ветвях методом контурных токов.
3. Построить потенциальную диаграмму для любого замкнутого контура цепи (рисунок 2), содержащего обе ЭДС.
4. Определить режимы работы источников электроэнергии и составить баланс мощностей.
Значения ЭДС источников и сопротивлений приемников приведены в таблице 2.
Таблица 2
Вариант Е1? В R01, Ом Е2? В R02, Ом R1, Ом R2, Ом R3, Ом R4, Ом R5, Ом R6, Ом
6 140 2,4 70 0,8 3 2 20 23 21 22
Задача №3
Расчет неразветвленных цепей синусоидального тока
Для цепи с последовательным соединением сопротивлений, изображенных на рисунке 3.
1. Нарисовать цепь в соответствии с заданными параметрами полных сопротивлений.
2. Определить действующее и мгновенное значение тока в цепи.
3. Построить топографическую векторную диаграмму напряжений.
4. Определить активную, реактивную и полную мощность цепи.
5. Определить значение индуктивности или емкости, при включении которой в цепи наступит резонанс при заданном значении частоты источника.
Данные для расчета представлены в таблице 3.
Таблица 3
Цифра Сопротивление Цифра Мгновенное значение напряжения на участке, В
6 Z1, Ом Z2, Ом Z3, Ом Z4, Ом 6
-j3 2+j4 4-j4 4+j6 Uab=353sin(314t-50°)
Задача №4
Расчет разветвленных электрических цепей синусоидального тока
Для цепи синусоидального тока, изображенной на рисунке 4 символическим методом:
1. Определить действующие значения токов в ветвях и напряжений на участках.
2. По полученным комплексным изображениям токов и напряжений записать выражения для их мгновенных значений.
3. Определить активную и реактивную мощность источника.
4. Определить активную и реактивную мощность приемников.
5. Составить баланс активных и реактивных мощностей.
6. Построить совмещенную векторную диаграмму токов и напряжений.
Значения напряжения U, сопротивлений, индуктивностей и емкостей даны в таблице 4.
Частота питающего напряжения f=50 Гц.
Таблица 4
Вариант U, В R1, Ом L1, мГн C1, мкФ R2, Ом L2, мГн C2, мкФ R3, Ом L3, мГн C3, мкФ
6 220 5 20 400 10 20 300 11 30 300
Задача №5
Расчет трехфазных электрических цепей при несимметричной нагрузке
К трехфазному источнику включена цепи (рисунок 5). Значения линейного напряжения, активных, индуктивных и емкостных сопротивлений приемников приведены в таблице 5.
Требуется:
1. Определить фазные и линейные токи для заданной схемы, а также ток в нейтральном проводе для схемы «звезда».
2. Определить активную и реактивную мощности, потребляемые цепью.
3. Построить совмещенную векторную диаграмму напряжений и токов.
Таблица 5
Вариант Uл, В R1, Ом ХL1, Ом ХC1, Ом R2, Ом ХL2, Ом ХC2, Ом R3, Ом ХL3, Ом ХC3, Ом
6 380 9 10 5 6 8 5 8 5 8
Выдержка из похожей работы
виде »единиц» и »нулей»,Цифровые переменные имеют только два уровня, (рис.
1,б),Эти уровни напряжения называют верхним и нижним, или обозначают терминами
»истина» и »ложь», которые связаны с булевой логикой, или »включено» и
»выключено», которые отражают состояние релейной системы, а чаще »нулем» и
»единицей».
Благодаря высокой эффективности цифровые методы широко используются
для передачи, отбора и запоминания информации, даже в тех случаях, когда
входные и выходные данные имеют непрерывную или анало- говую форму,В этом
случае информацию необходимо преобразовывать при помощи цифро-аналоговых (ЦАП)
и аналогово-цифровых преобразователей (АЦП),
а
б
верхний
предел
высокий уровень
нижний
предел низкий уровень
а –аналоговый сигнал; б
–цифровой сигнал;
1.
ЦИФРОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ
Интегральная микросхема – это
микроэлектронное изделие выпол-няющее определенную функцию преобразования и
обработки сигнала и имеющее не менее пяти элементов (транзисторов, диодов,
резисторов, кон- денсаторов), которые нераздельно связаны и электрически
соединены между собой так, что устройство рассматривается как единое целое.
Высокая надежность и качество в сочетании с
малыми размерами, массой и низкой стоимостью интегральных микросхем обеспечили
их широ- кое применение во многих отраслях народного хозяйства.
По конструктивно-технологическим признакам
различают пленочные, полупроводниковые и гибридные микросхемы.
Пленочные микросхемы изготавливают
посредством послойного нанесения на диэлектрическое основание (подложку) пленок
различных материалов с одновременным формированием транзисторов, диодов и т.п.
Пленочные микросхемы делятся на тонкопленочные (толщина пленки до 1мкм) и
толстопленочные.
Полупроводниковая интегральная
микросхема – это интегральная
микросхема, все элементы и межэлектродные соединения которой выполне- ны в объеме
и на поверхности проводника (рис,2 а,б).
При
изготовлении полупроводниковых интегральных микросхем обычно используют
планарную технологию,
Активные и пассивные элементы полупроводниковой интегральной
микросхемы избирательно формируют в одном монокристалле полупровод- ника.
Соединение элементов между собой в полупроводниковой интеграль- ной микросхеме
может быть выполнено как в объеме, так и на поверхности монокристалла
полупроводника путем создания на окисленной поверхности полупроводника
токоведущих дорожек, например, методом вакуумного на-пыления металла,В
качестве конденсаторов в микросхемах используют об-ратно смещенные p-n-переходы
или конденсаторные структуры Si-SiO2-металл,Роль резисторов выполняют участки
поверхности полупроводни-кового кристалла или p-n-переход,
смещенный в прямом или обратном нап-равлении, а также канал МДП-транзисторов.
В интегральной микросхеме не всегда можно указать границу
между отдельными элементами,Например, вывод конденсатора может одновре-менно
являться электродом конденсатора,Из-за малых межэлектродных расстояний и
наличия общего для всех элементов схемы кристалла (подлож-ки) в микросхемах
создаются достаточно сложные паразитные связи, а так же появляются паразитные
элементы, которые, как правило, ухудшают все парараметры микросхемы, как
функционального узла радиоэлектронной аппаратуры.
а
б
в
Рис,2
а – эквивалентная
схема; б – структура полупроводниковой интегральной микросхемы;
в – структура гибридной
интегральной микросхемы;
Гибридная интегральная микросхема – это интегральная
микросхема
пассивные элементы которой выполнены посредством нанесения
различных пленок на поверхность диэлектрической подложки из стекла, керамики
или ситалла, а активные элементы – навесные полупроводниковые приборы без
корпусов (рис,2,в).
Гибридные интегральные
микросхемы позволяют использовать пре- имущества пленочной технологии в
сочетании с полупроводниковой тех-нологией,
Полупроводниковая интегральная
микросхема может быть изготов- лена по совмещенной технологии – активные элементы
выполнены в объеме полупроводникового монокристалла, а пассивные элементы – на
защищен-ной (например, окислом) поверхности монокристалла в тонкопленочном
ис-полнении,На этой же поверхности сделаны и токопроводящие дорожки и площадки
