Учебная работа № /2952. Контрольная Электротехника и электроника. Вариант №30
Учебная работа № /2952. Контрольная Электротехника и электроника. Вариант №30
Содержание:
«Задача №1
Цепь постоянного тока содержит резисторы, соединенные смешанно. Схема цепи с указанием резисторов приведена на рисунке 1. Всюду индекс тока или напряжения совпадает с индексом резистора, по которому проходит этот ток или на котором действует напряжение.
Дано:
Определить токи во всех ветвях и напряжения на всех элементах электрической цепи, мощность, потребляемую всей цепью и расход электрической энергии цепью за 8 часов работы.
Задача №2
В трехфазную сеть включили треугольником несимметричную нагрузку: а фазу АВ – резистор с сопротивлением Rав=20 Ом, в фазу ВС — резистор с сопротивлением Rвс=20 Ом, в фазу АС — резистор с сопротивлением Rса=16 Ом и емкостной элемент с емкостью Сса=265 мкФ (рисунок 3).Линейное напряжение Uном=220 В. Определить фазные токи Iав, Iвс, Iса, активную, реактивную и полную мощности трехфазной цепи при частоте f=50 Гц. Расчетные значения Xc округлить до целого числа. Построить векторную диаграмму и по ней определить линейные токи Ia, Iв, Ic.
Задача №4
Задан тип трехфазного асинхронного двигателя 4А160S4/2Н3 с короткозамкнутым ротором серии 4А. Номинальное напряжение сети Uном=380 В. Номинальная мощность , коэффициент мощности двигателя , частота вращения ротора , КПД двигателя . Кратность пускового тока , пускового момента , максимального момента .
Определить:
1. Потребляемую двигателем электрическую мощность Р1
2. Синхронную частоту вращения магнитного поля статора n1
3. Номинальное скольжение Sном
4. Номинальный Iном и пусковой Iп токи
5. Номинальный момент вращения Мном, пусковой Мп и максимальный Ммах моменты
Контрольная работа
«Метрология, стандартизация и сертификация»
Вариант №30
Задание 1. Посадка зубчатого колеса с валом ?35 Н7/js6.
Определить: предельные отклонения размеров деталей, предельные размеры деталей, допуски размеров деталей, значения зазоров (натягов), графически изобразить поля допусков деталей.
Задание 2. Посадка втулки с валом. ?15 Е9/h8.
Определить: предельные отклонения размеров деталей, предельные размеры деталей, допуски размеров деталей, значения зазоров (натягов), графически изобразить поля допусков деталей.
Задание 3. Посадка наружного кольца подшипника с отверстием корпуса ? 90 Н7 (класс точности подшипника 0)
Определить предельные отклонения размеров деталей, предельные размеры деталей, допуски размеров деталей, значения зазоров, графически изобразить поля допусков деталей.
Эскиз установки подшипника в корпус:
Задание 4 . Посадка внутреннего кольца подшипника с валом ?40 js6. (Класс точности подшипника 0).
Определить предельные отклонения размеров деталей, предельные размеры деталей, допуски размеров деталей, значения зазоров, графически изобразить поля допусков деталей.
Эскиз установки подшипника в корпус:
Задание 5. Экономическая эффективность стандартизации
Задание 6. Предельные отклонения размеров, их назначение. Правила обозначения отклонений на чертеже.
Задание №1
Спроектировать закрытую прямозубую (косозубую) цилиндрическую зубчатую передачу, предназначенную на длительный срок службы обеспечив приработку зубьев в процессе работы (НВ<350) с исходными данными: Р1=5,5 кВт, n1=900 об/мин, u=3.
Задание №2
Спроектировать закрытую реверсивную червячную зубчатую передачу, предназначенную для длительного срока эксплуатации N?>25*107 со следующими исходными данными: Р1=3 кВт, n1=850 об/мин, u=30, материал червячного колеса БР05ЦС5
Список литературы
1. Никифоров А.Д., Бакиев Т.А. Метрология, стандартизация и сертификация – М.: Высшая школа, 2003.
2. ГОСТ 25346-89. ЕСДП. Общие положения, ряды допусков и основных отклонений.
3. ГОСТ 520-2011. Подшипники качения. Общие технические условия.
4. Анурьев В.И. Справочник конструктора-машиностроителя. Т. 2 – М.: Машиностроение, 1992. – 448 с.
5. Материалы в машиностроении. Под ред. И.В. Кудрявцева. – М.: Машиностроение, 1977. – 372 с.
»
Выдержка из похожей работы
виде »единиц» и »нулей»,Цифровые переменные имеют только два уровня, (рис.
1,б),Эти уровни напряжения называют верхним и нижним, или обозначают терминами
»истина» и »ложь», которые связаны с булевой логикой, или »включено» и
»выключено», которые отражают состояние релейной системы, а чаще »нулем» и
»единицей».
Благодаря высокой эффективности цифровые методы широко используются
для передачи, отбора и запоминания информации, даже в тех случаях, когда
входные и выходные данные имеют непрерывную или анало- говую форму,В этом
случае информацию необходимо преобразовывать при помощи цифро-аналоговых (ЦАП)
и аналогово-цифровых преобразователей (АЦП),
а
б
верхний
предел
высокий уровень
нижний
предел низкий уровень
а –аналоговый сигнал; б
–цифровой сигнал;
1.
ЦИФРОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ
Интегральная микросхема – это
микроэлектронное изделие выпол-няющее определенную функцию преобразования и
обработки сигнала и имеющее не менее пяти элементов (транзисторов, диодов,
резисторов, кон- денсаторов), которые нераздельно связаны и электрически
соединены между собой так, что устройство рассматривается как единое целое.
Высокая надежность и качество в сочетании с
малыми размерами, массой и низкой стоимостью интегральных микросхем обеспечили
их широ- кое применение во многих отраслях народного хозяйства.
По конструктивно-технологическим признакам
различают пленочные, полупроводниковые и гибридные микросхемы.
Пленочные микросхемы изготавливают
посредством послойного нанесения на диэлектрическое основание (подложку) пленок
различных материалов с одновременным формированием транзисторов, диодов и т.п.
Пленочные микросхемы делятся на тонкопленочные (толщина пленки до 1мкм) и
толстопленочные.
Полупроводниковая интегральная
микросхема – это интегральная
микросхема, все элементы и межэлектродные соединения которой выполне- ны в объеме
и на поверхности проводника (рис,2 а,б).
При
изготовлении полупроводниковых интегральных микросхем обычно используют
планарную технологию,
Активные и пассивные элементы полупроводниковой интегральной
микросхемы избирательно формируют в одном монокристалле полупровод- ника.
Соединение элементов между собой в полупроводниковой интеграль- ной микросхеме
может быть выполнено как в объеме, так и на поверхности монокристалла
полупроводника путем создания на окисленной поверхности полупроводника
токоведущих дорожек, например, методом вакуумного на-пыления металла,В
качестве конденсаторов в микросхемах используют об-ратно смещенные p-n-переходы
или конденсаторные структуры Si-SiO2-металл,Роль резисторов выполняют участки
поверхности полупроводни-кового кристалла или p-n-переход,
смещенный в прямом или обратном нап-равлении, а также канал МДП-транзисторов.
В интегральной микросхеме не всегда можно указать границу
между отдельными элементами,Например, вывод конденсатора может одновре-менно
являться электродом конденсатора,Из-за малых межэлектродных расстояний и
наличия общего для всех элементов схемы кристалла (подлож-ки) в микросхемах
создаются достаточно сложные паразитные связи, а так же появляются паразитные
элементы, которые, как правило, ухудшают все парараметры микросхемы, как
функционального узла радиоэлектронной аппаратуры.
а
б
в
Рис,2
а – эквивалентная
схема; б – структура полупроводниковой интегральной микросхемы;
в – структура гибридной
интегральной микросхемы;
Гибридная интегральная микросхема – это интегральная
микросхема
пассивные элементы которой выполнены посредством нанесения
различных пленок на поверхность диэлектрической подложки из стекла, керамики
или ситалла, а активные элементы – навесные полупроводниковые приборы без
корпусов (рис,2,в).
Гибридные интегральные
микросхемы позволяют использовать пре- имущества пленочной технологии в
сочетании с полупроводниковой тех-нологией,
Полупроводниковая интегральная
микросхема может быть изготов- лена по совмещенной технологии – активные элементы
выполнены в объеме полупроводникового монокристалла, а пассивные элементы – на
защищен-ной (например, окислом) поверхности монокристалла в тонкопленочном
ис-полнении,На этой же поверхности сделаны и токопроводящие дорожки и площадки